Въпросът ми беше сериозен.
При мосфетите както може да се управлява гейта през дрейна /не е задължително през сорса/, така и може да се инвертира посоката на тока през канала, като се разменят местата на дрейна и сорса. Аз често използвам обратно вързване на мосфети.
Всъщност мосфета представлява кондензатор на който единия електрод е гейта, а другия е канал с променливо съпротивление, съставен от дрейн-сорса /двата извода заедно/, чийто съпротивление зависи от това доколко е зареден самият кондензатор. Обикновено е прието този "кондензатор" да се управлява през гейт-сорса, но няма никакво значение, ако той се управлява през гейт-дрейна. Всъщност дрейна и сорса са един и същи извод, те са един канал, една проводимост. Т.е., ако имаме право свързване на транзистора /стандартно/ ние можем спокойно да го управляваме през дрейна!- естествено, като се запазва поляритета предвид вида проводимост на канала и тази на гейта, т.е. със същия поляритет, както при управлението през сорса. Това означава, че при управление през дрейна ще ни трябва обратно напрежение на захранващото. Кога е нужно това управление? - тогава, когато схемата го налага. Въпрос на схемно решение.
По отношение на обратното свързване на мосфета - има ли някакъв проблем от това и ползва ли се на практика?
Да, ползва се. Аз се сещам за два примера, но може да има и повече, ако се замисли човек.
Първо, има мосфети, които са предназначени за двупосочно преминаване на тока през канала, като при тях широчината на канала не се управлява през дрей-сорса, а има отделен извод, който заедно с гейта служи за "зареждане на кондензатора", т.е. управлението. Т.е. при стандартни транзистор единият извод на кондензатора е вързан за самия канал, но може и да не бъде, той може да е отделен. Това са аналоговите ключове. Примерно 4066. Те са като електронни релета. При тях гейта е управлението през маса, а канала на дрейн-сорса е ключа. Той е двупосочен. Там няма обратен технологичен диод.
И да разгледаме класическия начин на обратно свързване на MOSFET с вграден диод и управление през електродите гейт-дрейн
Правилно беше съображението на dymelsoft, че при обратно свързване технологичния диод се явява в право свързване. Какво от това, има схемни решение при които това не е никакъв проблем. Това се тези, при които транзистора се използва, като диод в синхронните изправители. Какво се получава на практика? Така или иначе има постоянно вързан диод в права посока /технологичен/, но той първо е за малък ток и второ при него има потенциална бариера на п-н прехода, която е от порядъка на 0,7-1V. Т.е. ако минат през него 10А този диод ще разсейва през корпуса на транзистора 7-10W. Когато обаче благодарение на инверсното управление на мосфета през канала гейт-дрейн и обратното свъзаните дрейн-сорс, този канал се отпуши, то той шунтира вградения диод и моментално падът на напрежение върху транзистора ще спадне до толкова, колкото е вътрешното съпротивление на канала. Или колкото по-мощен транзистор, толкова по-малък пад. Ще дам практически пример: транзистор с перманентен ток на канала 80A има пад на напрежение при 10А около 80mV /0,08V/. Това умножено по тока от примера през него прави 0,8W. Сега, къде е 10W, къде 0,8W? Ето това е смисъла на обратното свързване на мосфетите и те имат своето широоооооко приложение.
Затова и x_name41 се беше много доближил до истината.
Долу съм направил една схема, да се види нагледно за какво иде реч:
